[12] 공정 관련 기초 4, Oxidation CVD ALD PVD
Oxidation, CVD, ALD, PVD 무어 이론을 지속시킬 반도체 공정 신기술은? - 무어의 이론을 추구하기 위한 기술로는 증착 분야에선 ALD와 High-K 프리커서 재료기술이, 노광 분야에선 EUV가 대표적으로 거론된다. DRAM분야에선 핵심 요소인 커패시터이므로 재료를 증착하는 ALD 장비의 혁신 역시 필요하다. 배선 공정 진행시 Al이 아닌 Cu를 사용해야 하는 이유는 무엇인가? 증착 공정을 진행했는데, 증착 표면이 균일하지 못하다면 점검해야 할 포인트와 해결방안을 제시해보세요. 키워드 : 배선공정, Al, Cu, 비저항, 식각, 다마신 스토리 라인 : 반도체 배선공정은 웨이퍼 상에 형성된 각 소자를 전기적으로 연결시켜주는 도선을 형성하는 공정이다. 따라서 전도성이 좋은 금속을 배선으로 사..
2020. 11. 9.
[11] 공정 관련 기초 3, 진공 플라즈마
진공, 플라즈마 플라즈마에 대해 설명하세요 키워드 플라즈마, 제 4의 물질 상태, 이온화된 가스, 이온, 전자, 중성 입자, 라디칼, 에치, 스퍼터링, CVD 스토리라인 플라즈마는 고체, 액체, 기체로 구분하는 물질의 3가지 상태와 비교해서 또다른 제 4의 물질 상태 라고 얘기할 수 있다. 다시 말해 기체 상태의 분자나 원자가 이온화되어 양이온과 전자가 섞여 있지만 전체적으로는 중성 상태인 이온화된 기체 상태이다. ( 우리가 매일 보는 태양의 경우도 플라즈마의 일종인데 태양의 플라즈마는 모든 원자가 이온화되어 있는 매우 높은 상태의 고온 플라즈마이다. ) 우리가 반도체 공정에서 사용하는 플라즈마는 방전 현상을 이용하여 만든 것으로 백만 개의 기체 분자 중 한개 정도가 이온화되어 있는 이온화율이 낮은 상태..
2020. 11. 8.