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반도체/전공정 이론7

[15] 공정 관련 기초 7, CMP공정 CMP CMP에 대해 설명하라 - 키워드 : CMP, 연마재, 웨이퍼 평탄화, 국지적 평탄화, 광역 평탄화 - 스토리 라인 : CMP는 화학적 기계적 연마이다. 말 그대로 화학적 요소와 기계적 요소를 결합한 Polishing을 통하여 웨이퍼 표면의 여러 박막을 선택적으로 연마하여 광역 평탄화시킬 수 있는 기술이라고 할 수 있다. 방법은 미세 연마제가 포함된 슬러리를 패드위에 뿌린 채로, 웨이퍼의 갈아낼 면을 패드 위에 놓고 압력을 가하면서 회전시켜 웨이퍼 표면을 갈아내게 된다. 이때 기계적 연마 성분은 칩 내의 각각 다른 높이를 갖는 부위가 CMP 패드와 접촉할 때 서로 다른 압력을 받고 상대적으로 높은 부위가 높은 압력에 의해 먼저 갈리면서 평탄화를 도와주는 역할을 한다. 반면에 화학적 Polishin.. 2020. 11. 12.
[14] 공정 관련 기초 6, 도핑공정 세정공정 도핑공정 세정공정 2020. 11. 10.
[13] 공정 관련 기초 5, 포토공정, Etch공정 포토공정, Etch공정 ( Photolithography, Etching ) 미세 공정에서 Dry Etch를 많이 사용하는 이유? 또는 Ethching 공정에 대해 설명하세요. 키워드 : 식각, 습식식각, 건식식각, 등방성 식각, 비등방석 식각 스토리 라인 : 식각공정은 포토공정에서 형성한 감광막 (PR) 패턴을 마스크로 사용하여 하부막을 식각하여 원하는 회로패턴을 완성시키는 공정이다. 식각공정에는 습식식각과 건식식각이 있다. 습식식각은 화학용액을 사용해서 화학반응이 일어나는 물질을 제거하는 방법이어서 화학용액이 접촉하는 곳에서 등방성으로 식각이 진행된다. 따라서 식각 후 패턴도 경계면에서 박막이 원형으로 식각이 진행되는 등방형 식각이다. 이 경우 식각 패턴은 포토공정에서 정의한 모양보다 작아지고 패턴 .. 2020. 11. 10.
[12] 공정 관련 기초 4, Oxidation CVD ALD PVD Oxidation, CVD, ALD, PVD 무어 이론을 지속시킬 반도체 공정 신기술은? - 무어의 이론을 추구하기 위한 기술로는 증착 분야에선 ALD와 High-K 프리커서 재료기술이, 노광 분야에선 EUV가 대표적으로 거론된다. DRAM분야에선 핵심 요소인 커패시터이므로 재료를 증착하는 ALD 장비의 혁신 역시 필요하다. 배선 공정 진행시 Al이 아닌 Cu를 사용해야 하는 이유는 무엇인가? 증착 공정을 진행했는데, 증착 표면이 균일하지 못하다면 점검해야 할 포인트와 해결방안을 제시해보세요. 키워드 : 배선공정, Al, Cu, 비저항, 식각, 다마신 스토리 라인 : 반도체 배선공정은 웨이퍼 상에 형성된 각 소자를 전기적으로 연결시켜주는 도선을 형성하는 공정이다. 따라서 전도성이 좋은 금속을 배선으로 사.. 2020. 11. 9.

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