반도체/이론7 [8] 반도체소자 DRAM & NANDFLASH DRAM(Dynamic Random Access memory) DRAM은 원하는 위치에 접근할 때 다른 방해를 받지 않고 접근할 수 있는 것, 비순차적 접근이 가능한 소자이다. 비순차적 접근을 쉽게 이해하자면 구불구불 돌아갈 필요없이 바로 지정된 값으로 접근이 가능하다는 것이다. Dynamic이라는 용어가 붙은 이유는 메모리에 저장된 내용이 시간이 지나면 사라지기 때문이다. DRAM의 구성은 Memory cell array(50-60%)와 controller(40-50%)로 구성되어 있다. Memory cell은 실제로 데이터가 저장되는 곳으로 여러 cell들이 array 형태로 배열되어 있고 주기적으로 메모리에 저장된 내용이 손실되는 휘발성 소자임을 기억하자. - Memory cell의 구성 Memor.. 2020. 9. 7. [7] 반도체 소자 MOSFET MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Feild-Effect-Transistor) 들어가기 전에 MOSFET은 MOS capacitor를 이용한 FET라고 생각해 두고 가자. 일단, MOS에 대해 먼저 분석해보자. MOS의 용어를 보면, Metal-Oxide-Semiconductor의 약자로 각각의 물질들이 층으로 겹쳐진 것이다. 그림을 한번 보자. 설명과 같이 Metal이 맨 위에 Oxide가 그다음 semiconductor가 맨 밑으로 이루어져있다. 여기서, 빨간색 빗금부분(Oxide와 Semiconductor가 맞닿는 부분)에 carrier층이 형성된다. 이 carrier층을 channel이라고 한다. 전압을 인가했을 때 carrier들이 모이는 소자를 우리는 capacito.. 2020. 9. 6. [6] 반도체 소자 BJT BJT(Bipolar junction transistor) PN diode에 이어서 반도체 소자인 BJT를 살펴볼 것이다. BJT는 PN 접합이 두 개 있는 트랜지스터 소자이며 접합 형태에 따라 PNP NPN으로 나누어진다. 전자의 이동방향은 에미터(E) -> 콜렉터(C)로 흐르다 보니, 전류의 이동방향은 PNP의 경우 동일하게 에미터(E) -> 콜렉터(C)로 흐르고 NPN의 경우 콜렉터(C) -> 에미터(E)로 흐르게 된다. 왜냐하면 PNP의 경우 주로 있는 것이 정공이고 NPN의 경우는 전자이기 때문이다. 그리고 일부 캐리어가 베이스를 통해 PNP의 경우 나오고 NPN의 경우 들어오게 된다. 이해가 안 된다면 일단 빨간색 화살표대로 전류의 이동방향이 그렇다고 보고 가자. 그리고 BJT에서는 에미터(E.. 2020. 9. 6. [5] 반도체 소자 diode 종류 Diode 종류 각각의 diode가 어디에서 사용되고 필요한지 정도만 간단하게 알아두고 Zener diode와 Schottky diode의 원리에 대해서만 좀 더 자세히 알아보자. Zener diode : PN diode 와 유사한 구조를 가지며 강한 도핑이 걸려있어 매우 낮고 일정한 breakdown 전압 특성을 보인다. 따라서 넓은 전류 범위에서 안정적인 전압 특성을 보이게 되므로 정전압을 생성하고 회로의 과전압 보호 등으로 사용한다. Schottky diode : metal-semiconductor 접합만으로 이루어진 diode로 PN diode와 유사하게 전위장벽(Built-in-potential)이 발생한다. 다만 PN diode 대비 낮은 전위장벽을 형성하여 낮은 turn-on 전압에서도 전류.. 2020. 9. 6. 이전 1 2 다음
